SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスは、電動車のインバーターや産業用電源において損失低減の切り札として急速に普及が進んでいる。ロームは2026年4月21日、最新のEcoSiC™ブランド「第5世代SiC MOSFET」の開発完了を発表した。高温動作時（接合部温度175℃）のオン抵抗値を、前世代の第4世代品と比べて約30%低減した（同耐圧・同チップサイズでの比較）。

オン抵抗とは、デバイスがオン状態のときに生じる電気抵抗のことで、値が小さいほど発熱・損失が少なくなる。特に電動車のトラクションインバーターや産業用電源では高温環境での動作が常態化しており、高温時のオン抵抗低減は直接的に効率向上と小型化に直結する。ロームは素子構造の見直しと製造プロセスの最適化によってこの改善を実現した。

想定するアプリケーションは幅広い。車載向けではxEV用トラクションインバーター・車載充電器（OBC）・DC-DCコンバーター・電動コンプレッサが主な対象だ。産業機器向けではAIサーバーやデータセンターの電源、太陽光発電インバーター、ESS（電力貯蔵システム）、UPS、eVTOL、ACサーボモータードライバなどを対象とする。近年はAIサーバー向け大規模電源の需要が急増しており、電力密度が高まるデータセンター向けの効率改善ニーズにも応える。

ロームは2010年に世界で初めてSiC MOSFETの量産を開始した先駆者で、ウエハ製造から製造プロセス、パッケージング、品質管理まで一貫生産体制を持つ。第4世代品は2020年からサンプル提供を開始し、車載・産業機器でグローバルに採用されてきた実績がある。第5世代品は2025年からベアチップサンプルの提供を先行開始しており、2026年7月からはディスクリートおよびモジュールのサンプル提供も始まる予定だ。

製造業のDX・新規事業担当者にとって、SiCデバイスの性能向上は自社製品の電力効率向上に直結する技術動向だ。電動化・高出力化が進む機器設計において、パワーデバイスの選定が競争力を左右する局面が増えており、世代交代のタイミングを把握しておくことが重要になっている。

また、ロームは2026年4月に「ROHM PLECS Simulator」も公開しており（パワーエレクトロニクス回路の損失・温度をWebで高速検証できる無償ツール）、デバイス単体の開発にとどまらず設計者が実際に採用しやすい環境づくりも進めている。ウエハ製造から設計支援ツールまでを一体で提供するエコシステム戦略が、SiC普及フェーズにおける差別化軸となっている。

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プレスリリース：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000106.000062988.html

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